NAND Flash制程不断进化，Agrade睿达存储与您探讨如何平衡效益和成本

NAND Flash被广泛使用在车载、移动设备、网络通讯和工业级嵌入式储存等应用，除了搭载软件及固件程序的开发，使得整体运作效率更高，传输速度更好；NAND制程技术也一直在寻求精进与突破，不管在价格竞争力或NAND芯片的耐用度与稳定性上，希望能在功能技术与成本之间取得平衡。

因此NAND闪存目前发展的方向多以降低储存位成本、提高存储容量和增加耐用度为原则。因此，睿达提供新的闪存解决方案，兼顾效能与成本考虑，客户可挑选最适合的NAND闪存于其应用产业中。

2D NAND Flash制程的进化从 SLC NAND Flash到后来的MLC和TLC，SLC为效能最佳的闪存类型且低功耗，但单价成本过高；而MLC成本相对较低，但受限于写入效能和写入/抹除次数(Program/Erase Cycle)即使用寿命只高过TLC。由此得知，不同层级储存单元的NAND闪存有不同的特质，并非储存单元数越多就越好，依据实际工业储存应用需求选用最适合的闪存类型，才能真正将系统资源的分配与运用优化。

因此，睿达在2D开发上有了aSLC，其核心概念是使MLC达到像SLC等级的作业水平，写入/抹除次数(Program/Erase Cycle)达20,000次，提升其读写效能和使用寿命，在 MLC 和 SLC 闪存类型之间获取成本效益最优化。

但随着2D NAND制程已达物理极限，储存单元内可装载容量要再扩增，势必采用3D NAND堆叠技术的方式，提升闪存容量，且多方考虑不同的应用和功能应该选用不同模式的闪存。睿达基于3D堆叠技术架构原理通过固件开发，优化3D NAND闪存技术: aSLC-X、MLC-X和3D TLC，在立体结构设计下除了容量空间增大，耐用性与可靠度皆大幅提升。aSLC-X和MLC-X解决方案，其写入/抹除次数(Program/Erase Cycle)分别可达30,000次与10,000次，已超越MLC或工业3D TLC写入/抹除次数10倍之多。而Agrade的3D TLC NAND，写入/抹除次数(Program/Erase Cycle)达3000次，相比于Consumer-grade 3D TLC来的更可靠且效能和使用寿命也有显著增长。

为满足客户应用端不同的使用特性需求，Agrade陆续推出搭载3D NAND的TLC、aSLC-X和MLC-X闪存优化解决方案，提供灵活和弹性的选择，更具价格竞争力，不仅为客户考虑到成本效益平衡，更大幅提升运作系统可靠度与稳定性，是各类嵌入式系统的绝佳选择。Agrade闪存解决方案的全新工业级固态硬盘，包含2.5”、M.2、mSATA、CFast和7Pin SATADOM，多款SSD 外型规格可供选用。