MOS管损坏的原因主要包括过电压损坏、过流损坏、静电放电、温度过高以及阈值电压漂移
低正向导通压降：肖特基二极管由于其金属侧（阱结）的高导电率，可以更快地吸收和输送电荷，从而具有更低的正向导通电压降。这一特性使得肖特基二极管在导通时能够减少能量的损耗，提高电路的效率